【英文标准名称】:Safetydevicesforprotectionagainstexcessivepressure-Applicationandinstallationofsafetydevicesexcludingstand-aloneburstingdiscsafetydevices
【原文标准名称】:防超压安全性保护装置.单机防爆膜安全性装置除外的安全性装置的应用和安装
【标准号】:BSISO4126-9-2008
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2008-10-31
【实施或试行日期】:2008-10-31
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:应用;爆破试验;防爆板;爆破压力;抗爆裂安全装置;抗破碎强度;控制技术;定义;定义(术语);设计;尺寸选定;超压;识别牌;作标记;安装;过压(力)保护;性能试验;气动试验;压力;压力控制阀;压力装置;压力过载;压力容器;安全装置;安全性装置;安全性要求;安全阀;选择;规范;规范(验收);蒸汽;阀门
【英文主题词】:Applications;Bursttest;Burstingdiscs;Burstingpressures;Burstingsafetydevice;Burstingstrength;Controltechnique;Definition;Definitions;Design;Dimensioning;Excesspressures;Identificationplates;Marking;Mounting;Overpressureprotection;Performancetests;Pneumatictests;Pressure;Pressurecontrolvalves;Pressureequipment;Pressureoverload;Pressurevessels;Safetydevice;Safetydevices;Safetyrequirements;Safetyvalves;Selection;Specification;Specification(approval);Steam;Valves
【摘要】:
【中国标准分类号】:C67
【国际标准分类号】:13_240
【页数】:42P;A4
【正文语种】:英语
基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ３ＤＧ１１１型ＮＰＮ硅高频小功率晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon NPN high-frequency low power transistor of Type 3DG111 |
| 中标分类： |
综合 >>
标准化管理与一般规定 >>
技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-11-19 |
| 实施日期： | 1993-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 提出单位： | 中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所和石家庄无线电二厂 |
| 起草人： | 王长福、王承琳、谢佩兰 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-04-01 |
| 页数： | 10页 |
适用范围
本规范规定了３DG111型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GＪB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
前言
没有内容
目录
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引用标准
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所属分类： 综合 标准化管理与一般规定 技术管理